苏城电池片回收公司
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硅片回收13812666255

详细信息
采购数量:大量
包装要求:不限
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线痕====硅片在切割过程中硅片表面被划伤所留下的痕迹
崩边=====chip晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域,当崩边在晶片边缘长生时,其尺寸由径向深度和周边弦长给出。
污片:用清洗溶剂清洗不能除去的表面脏污
穿孔:在对光源观察时,晶片表面有用针或似用针刺的小孔。
微晶:1CM单位长度上个数超过5个。
隐裂:硅片表面存在不贯穿的隐形裂纹,裂纹宽度大于0.1MM。
翘曲度:晶片中心面与基准平面之间的最大和最小距离的差值。翘曲度是晶片的体性质而不是表面特征。
厚度:通过晶片上已给定点垂直于表面方向穿过晶片的距离。
总厚度变化TTV:在厚度扫描或一系列点的厚度测量中,所测晶片的最大厚度与最小厚度的绝对差值、
密集型线痕:垂直线横方向每厘米存在5条线痕以上。
电阻率:单位体积的材料对于两行平行面垂直通过的电流的阻率,符号为P,单位为欧。CM
少数载流子寿命:晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔,它等于非平衡少数流子浓度衰减到起始值的1/E{E=2.718}所需时间。又称少数载流子寿命,体寿命。
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